為加強納米能源與相關核心技術系統(tǒng)集成的研究和應用，推動相應學科的發(fā)展，中國科學院和北京市將聯(lián)合共建中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所（http://www.binn.cas.cn/）。因工作需要，現(xiàn)面向社會公開招聘工作人員。

一、崗位職責和任職條件

半導體工藝工程師（招聘2人）

1)崗位職責

負責超凈間半導體工藝中鍍膜、沉積、刻蝕、曝光等流程相關的儀器設備，包括：電子束蒸發(fā)鍍膜（Ebeam）、多靶磁控濺射（Sputter）、原子層沉積（ALD）、反應離子束刻蝕（RIE）、電感耦合等離子體刻蝕（ICP）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）、紫外曝光等。具體職責為：

（1）負責各工藝流程的操作和深度開發(fā)；

（2）負責相關儀器的日常維護、使用培訓、預約管理等相關工作；

（3）掌握相關分析測試方法，充分利用、開發(fā)儀器功能，發(fā)掘儀器潛力。

2)任職條件

（1）半導體、微電子、物理、應用物理、材料或化學等相關專業(yè)碩士及以上學歷；

（2）精通各種半導體微納加工工藝流程，有兩年以上相關設備操作經(jīng)驗優(yōu)先；

（3）具有較強的（專業(yè)）英語讀寫和溝通能力，英語CET6級；

（4）具有較強的團隊合作能力和良好的服務意識

（5）具備良好的人際溝通能力和管理協(xié)調能力；

（6）為人正直誠實，認真負責，肯吃苦，熱愛實驗室工作

（7）有團隊合作精神和服務意識。

二、申請應聘的有關要求

1.報名截止時間：2013年7月5日下午五點前。

2.應聘者報名時請?zhí)峁┮韵沦Y料(申報材料概不退還)：

（1）《中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所應聘申請表》及個人簡歷；

（2）相關證明材料（包括身份證/護照、學歷、學位證、專業(yè)技術任職資格證書、獲獎證書等復印件），以及主要工作經(jīng)歷和有突出業(yè)績的相關材料。相關資料可以通過郵寄或電子郵件方式提交，請在信封正面或郵件主題中注明擬應聘的具體崗位名稱。

三、聘用管理與待遇

應聘成功后，本人與單位簽訂聘用合同，試用期為3個月。工資待遇將按國家、院及研究所的有關規(guī)定執(zhí)行。

四、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：鄒園園

通訊地址：100083北京市海淀區(qū)學院路30號天工大廈C座

中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所

電話：010-82854854

Email：zhaopin@binn.cas.cn

附件：應聘申請表

《應聘申請表.doc》來源于中國科學院，最近更新2013年6月26日。

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