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一、參考書目：
西安交大劉恩科主編．《半導體物理學》（第七版）．北京：電子工業(yè)出版社，2011
二、復習的總體要求
考生應掌握半導體物理學的基本理論和基本概念，掌握半導體中的電子狀態(tài)、雜質和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布及運動規(guī)律；掌握ＰＮ結基本理論；了解半導體表面及半導體的光、熱、磁、壓阻等各種物理現(xiàn)象。
三、主要復習內容
①半導體中的電子狀態(tài)
熟練掌握半導體中的電子運動、有效質量、本征半導體的導電機構；掌握鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結構。
②半導體中的雜質和缺陷能級
熟練掌握鍺、硅晶體中的雜質能級；理解應用Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導體的雜質能級；理解缺陷能級，位錯能級。
③熱平衡時半導體中載流子的統(tǒng)計分布
掌握狀態(tài)密度、費米能級載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體的載流子濃度雜質半導體的載流子濃度
④半導體的導電性
熟練掌握載流子的漂移運動、載流子的散射、遷移率與雜質濃度和溫度的關系；了解熱載流子。
⑤非平衡載流子
掌握非平衡載流子的注入與復合、非平衡載流子的壽命、準費米能級、復合理論、陷阱效應、載流子的擴散運動、愛因斯坦關系。
⑥ p-n結
理解p-n結及能帶圖、p-n結的電流電壓特性、p-n結電容、p-n結擊穿、p-n結隧道效應。
⑦ 金屬和半導體的接觸
熟練掌握屬和半導體接觸的整流理論，理解少數(shù)載流子的注入、歐姆接觸。
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