福州大學2015年博士研究生入學考試業(yè)務課考試大綱(半導體物理學)
來源:福州大學網(wǎng) 閱讀:1190 次 日期:2014-10-31 10:44:23
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一、考試科目名稱: 半導體物理學

二、招生學院和專業(yè):物理與信息工程學院 微電子學與固體電子學

基本內(nèi)容:

(一)半導體中的電子狀態(tài)

半導體中的電子狀態(tài)和能帶,半導體中電子的運動、有效質(zhì)量,本征半導體的導電機構(gòu)、空穴,回旋共振(了解),硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu),Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)。

(二)半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級

硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級,Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級,缺陷和位錯能級。

(三)半導體中載流子的統(tǒng)計分布

狀態(tài)密度,費米能級和載流子的統(tǒng)計分布,本征半導體的載流子濃度,雜質(zhì)半導體的載流子濃度,一般 情況下的載流子統(tǒng)計分布,簡并半導體。

(四)半導體的導電性

載流子的漂移運動和遷移率,載流子的散射,遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系,玻耳茲曼方程,電導率 的統(tǒng)計理論,強電場下的效應和熱載流子,多能谷散射和耿氏效應。

(五)非平衡載流子

非平衡載流子的注入與復合,非平衡載流子的壽命,準費未能級,復合理論,陷阱效應,載流子的擴散 運動,愛因斯坦關系式,連續(xù)性方程。

(六)金屬和半導體的接觸

金屬半導體接觸及其能帶圖,金屬半導體接觸整流理論,少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸。

(七)半導體表面理論

表面態(tài)、表面電場效應,MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性,硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì),表面電導及遷移率,表面電場對PN 結(jié)特性的影響。

(八)半導體的光學性質(zhì)和光電效應

半導體的光學常數(shù),半導體的光吸收,半導體的光電導,半導體的光生伏特效應,半導體發(fā)光。

(九)半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)(了解)

半導體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖、異質(zhì)PN結(jié)的I-V特性及其注入特性、異質(zhì)結(jié)量子井及其電子能態(tài)與特性

參考書目 (包括作者、書目、出版社、出版時間、版次):

1.劉恩科、朱秉升、羅晉生等編著,《半導體物理學》,電子工業(yè)出版社.2007.12(主要參考書目)

2.黃昆等《半導體物理學》,科學出版社,1979

3.王長安等編,《半導體物理基礎》,上??萍汲霭嫔?985.10

4.田敬民編著《半導體物理問題與習題》,國防工業(yè)出版社2004.5

5.張安康,周鳳林編著,《半導體物理問題與習題》,江蘇科技出版社1992.7

6.施敏等,《半導體器件物理與工藝》,蘇州大學出版社2002年版

7.R. M. Warner ,B. L. Grung 著,呂長志等譯,《半導體器件電子學》,電子工業(yè)出版社,2005

8.《固體物理學》謝希德、方俊鑫 上??萍汲霭嫔?1980.12

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