一、主要考試內容
1.MOS晶體管及其模型，MOS晶體管的結構、特性方程，垮導、閾值電壓，MOS電容，速度飽和，短溝道效應，spice模擬中的深亞微米MOSFET模型參數，BSIM模型概況和應用特點；
2.CMOS IC的主要工藝流程，控版圖設計規(guī)則和電學設計規(guī)則，CMOS邏輯門單元版圖識讀；
3.CMOS門電路：反相器、基本邏輯門、異或門、多路選擇器、觸發(fā)器和鎖存器、CMOS門電路的功耗。傳輸門及典型傳輸門邏輯電路；
4.CMOS IC的功耗分析，傳輸延遲，和門電路的噪聲容限；
5.Verilog HDL 或VHDL硬件描述語言，語言的數據類型，語法，主要語句及其描述方法，運用語言描述一些典型單元的設計；
6.半導體存儲器：SRAM，DRAM，EEPROM，Flash RAM 等典型單元架構，工作（寫讀擦）原理，相應存儲器構成；
二、建議參考書（與上述考試內容的相關內容）；
1、《數字集成電路分析與設計》（第三版），David A. Hodges, Horzce G. Jacjson & Resve A. Saheh英文版：清華大學出版社， 2004.8；中文版，蔣安平等譯，電子工業(yè)出版社，2005.9.
2、IC設計基礎，任艷穎，王彬編著，西安電子科技大學出版社。
3．CMOS集成電路設計，陳貴燦，邵志標，程軍，林長貴，西安交通大學出版社。
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